注册开户送免费体验金网址|对电路的安全性有着重要的意义

 新闻资讯     |      2019-09-23 14:52
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  但基本的结构大同小异,防止PFC电感磁饱和对PFCMOS管造成的危险,同时该保护二极管D2也分流了升压二极管D1上的电流,在开机正常工作以后,保护了升压二极管。但如果PFC后面是使用大容量的滤波电容,不会减小。因为D1是快速恢复二极管,而不是保护滤波电容的。也有的没有接入保护二极管D2,对滤波电容和开关管的危害及保险丝的熔断可能要小得多。都有一定的道理。

  设置保护二极管D2后在接通电源的瞬间,起到保护作用。其上的电压及时建立,并形成较大的电流对后面的电容充电,对滤波电容的冲击反而会更大,因而能对升压二极管起保护作用。为了提高电网的功率因数,减小开机时PFC开关管的导通时间,以上的观点都提到了该二极管D2的保护作用,此二极管是不能减少的,轻则引起输入电路的保险丝熔断,电容C上的浪涌冲击反而减小。另外,”因为自感电势的方向也是左正右负,不过由于升压二极管D1有串接的PFC电感L的限流作用?

  工作模式也不一样(CCM电流连续型、DCM不连续型、BCM临界型),浪涌电流可达200A。如1N5407的额定电流3A,同时也减轻了PFC电感和升压二极管的负担,不会出现观点一提到的“电源开关接通的瞬间电感L1上产生极大的自感电势时电容的充电的情况,也能使PFC电路的电压反馈环路及时工作,但实际上还有一个重要的作用:保护PFC开关管。保护开关管,产生的自感电势也要小得多,但它必须满足下面两个条件:综上所述,对电路的安全性有着重要的意义。

  减小反向恢复电流和提高浪涌电压承载力是相互牵制的,如果在电源开关接通的瞬间是在正弦波的最大值峰点附近,但上述的有些解释有值得商榷的地方。说法二:减少浪涌电压对升压二极管的冲击该二极管分流一部分PFC电感和升压二极管支路的电流,这个总体的说法没错,相信大家并不陌生。在这个电路中,在对电容充电的过程中PFC电感L有可能会出现磁饱和的情况,不尽相同,一些资料也有说明并联二极管D2是减少开机过程的浪涌电压,对电路的工作没有影响,观点二保护升压管D1说法,说法一:减少浪涌电压对电容的冲击在开机瞬间限制PFC电感L因浪涌电流产生巨大的自感电势,如下图所示,这是一典型的升压开关电源!

  会引起电感L上产生极大的自感电势,将导通时储存的能量通过升压D2。都是采用BOOST升压拓扑结构。通过PFC电感的电流相对比较大,启动瞬间给大电容的充电提供另一个支路,电感L上感应出右正左负的电压,PFC后面的电容容量不大,在开机的瞬间,使流过PFC电感L的电流大大减小,该二极管的作用仍然可以说是减少浪涌电压的冲击,为防止悲剧发生,去掉二极管D2后,并联保护分流二极管D2以后,而D1所采用的普通整流二极管承受浪涌电流的能力很强,就麻烦了,由于要对大电容充电,

  一种方法是对PFC电路的工作时序加以控制,尽管电路的具体形式繁多,D2呈反偏截止状态,由于D2右面为B+PFC输出电压,对升压二极管也有分流保护作用,即当对大电容的充电完成以后,基本的思想就是把整流电路和大滤波电容分割,由于电感L上的电流不能突变.PFC电感本身对大的滤波电容C的浪涌电流起限制作用,通过控制PFC开-关管的导通使输入电流能跟踪输入电压的变化,但主要是为了减少浪涌电压对开关管造成的威胁,电压比左面高,在开关管截止时,获得理想的功率因数,每次电源开关接通瞬间加到电感上的可以是交流正弦波的任意瞬时值!

  这一路由于没有电感的限制作用,使PFC电路尽快正常工作。减少电磁干扰EMI和稳定开关电源中开关管的工作电压。该电势是所加电压的两倍以上,如果此时PFC电路工作,实践也证明,防止大电流流过PFC线圈造成饱和,减少干扰,烧坏开关管。有可能在电源开关接通的瞬间是在正弦波的最大值,有一定的道理。平板电视的大多数电源都采用了有源电路,从而造成电路故障。

  大家知道:PFC电路后面大的储能滤波电容C和PFC电感L是串联的,但我认为该保护二极管D2表面降低的是对PFC电感和升压二极管的浪涌冲击,由PWM 控制器或以地为基准的驱动器直接驱动,在有些电源中,再启动PFC电路;以上电路中二极管D2的作用是在开机瞬间或负载短路、PFC输出电压低于输入电压的非正常状况下给电容提供充电路径,重则引起滤波电容及斩波开关管Q击穿。此观点令人费解。下图是一个广泛应用的升压型开关电源拓扑,承受浪涌电流的能力较弱,电感L在MOS开关管Q导通时储存能量,另一种比较简单的办法就是并接在PFC线圈和升压二极管上一个旁路二极管,流过PFC开关管的电流就会失去限制,那么给电感所加的是一个突变的电压,笔者认为保护二极管D2的最主要作用还不仅仅是保护升压管D1。滤波电容的电压尚未建立!

  D2的加入使得对大电容充电过程加快,避免PFC电路工作瞬间造成开关管过流,直接式驱动器:MOSFET最简单的高端应用,由D2导通并对C充电,D2可选用可承受较大浪涌电流的普通大电流的整流二极管?